近日，雷军宣布小米自研设计手机SoC芯片“玄戒O1”即将发布的消息，引发大量关注。就在刚刚，雷军微博透露了更多关于小米芯片的信息，这颗备受关注芯片的核心信息也揭开了面纱——3nm制程，追平了当前国际最先进设计水平，远超市场预期。此前，市场普遍猜测小米芯片为4nm水准。这颗芯片的问世，标志着小米成为苹果、三星、华为之后，全球第四个拥有自研设计SoC芯片能力的手机厂商，这也是中国大陆首次成功实现3nm芯片设计突破，填补了先进芯片的设计空白，是中国科技行业的里程碑事件。
值得指出的是，当前半导体行业的摩尔定律已经放缓，欧美巨头推动芯片微缩的脚步也逐步放慢，我们每前进一小步，差距就缩小一大步，这是中国芯片追赶的关键时刻。在追赶国际领先的过程中，芯片设计与制造一体两面，同等重要。
长久以来，公众对芯片的认知，普遍停留在芯片制造层面，台积电的纳米级制程工艺惊艳表现，常让人误以为芯片竞赛的胜负只取决于半导体制造。事实上，设计与制造是芯片产业最为重要的两道工序，翻开半导体产业发展史，芯片设计的难度并不亚于制造，没有英伟达设计的GPU版图，台积电不可能造出全球顶尖的AI芯片，没有高通的设计，三星同样无法造出高端手机SoC。这种设计和制造的协同，是中国半导体发展的重要启示。
要想追上世界先进水平，中国芯片必须两条腿走路，设计与制造齐头并进。芯片制造是超重资产行业，涉及产业链、供应链十分复杂，需要重点投入和协调，突围应该只是时间问题。同样重要的芯片设计，我们有大量像华为、小米这样的中国科技中坚投身其中，车规芯片、服务器芯片的设计已经实现5nm突破，这次小米在更为复杂的手机SoC领域实现3nm突破，一举追平全球最先进水平。
虽然小米还未公布“玄戒O1”的性能指标，但这颗芯片的表现无疑值得期待。十年饮冰，难凉热血，小米并非半导体行业的新兵，早在2014年就成立了松果电子研发芯片。虽然早期的澎湃S1表现不尽如人意，但在技术高度密集的芯片行业，最宝贵的精神就是坚持，纵观英伟达、高通、苹果、英特尔这些欧美巨头，无一不是经过数十年高投入才有今天的辉煌。
十年来，小米从未放弃在半导体和操作系统等底层技术领域攻坚，近5年研发投入超过千亿。在澎湃S1遭遇挫折后，小米持续在芯片领域深耕，连续推出多款功能芯片，最终量变引发质变，攻下了芯片设计“皇冠上的明珠”——手机SoC。要知道，手机SoC几乎是最复杂的芯片，包含多个功能模块，小米自研的这颗SoC拥有高达190亿个晶体管，是小芯片的数十倍。小米的突破，不仅让其有能力与苹果、三星等世界级巨头同台竞技，也再度证明一个道理：只要坚定实干，就没有不可逾越的高山；只要奋起直追，后来者永远有机会。
众所周知，近些年中国半导体行业在外部环境压力、内部政策支持下，已经取得显著进步，成熟制程芯片的设计和制造已形成规模。但我们追赶的同时，国外的芯片巨头也在继续进步。这警示着我们，中国要实现高水平科技自立自强，就必须在高端芯片设计和制造两个方向上突破，两手抓、两手都要强。这次小米实现3nm芯片设计突破，无疑将对国内产业链形成牵引效应，一方面可以留住国内的高端芯片人才，甚至吸引海外顶尖人才回国；另一方面也能提升小米产品软硬协同的体验，激发上下游研发配套的热情和活力，拉动国内创新链迈向高端。
一花独放不是春，百花齐放春满园。在中国从芯片大国迈向芯片强国的征程中，高端芯片设计和制造是必须拿下的“上甘岭”，这需要国产半导体行业有更多有实力的选手团结起来。无论是芯片设计还是芯片制造，唯有实干，方能突围。事实上，中国科技企业的目标是一致的，那就是一定要赶上和超过国际先进水平。小米这次突破给国产半导体行业打了一针强心剂。期待有更多像小米一样的中国企业，板凳愿坐十年冷，迎难而上追赶国际先进水平，引领国产芯迈向世界一流！